DRAM ist schnell, allerdings lassen sich darauf keine Daten längerfristig speichern. NAND-Speicher dagegen bietet die Möglichkeit, Daten über einen längeren Zeitraum zu speichern, ist allerdings langsamer als DRAM. Eine Art "Zwischenspeicher", der das beste aus beiden Welten vereint, wäre da schon gut.
Intel und Micron stellen neuen Speicher vor
Genau daran arbeitet ein Joint Venture bestehend aus Intel und Micron momentan. Nun kündigte man mit dem 3D-Xpoint-Speicher das Ergebnis der Zusammenarbeit an. Der neue Speicher, der Crosspoint ausgesprochen wird, soll um etwa das 1.000-fache schneller als aktueller NAND-Speicher sein. Außerdem ist er haltbarer. Auch hier sprechen Intel und Micron vom Faktor 1.000. Ganz so schnell wie DRAM ist 3D-Xpoint zwar nicht, dafür besitzt er eine zehnmal so hohe Dichte.
3D-Xpoint besteht aus zwei Schichten gestapelter Speicherzellen und kommt ohne Transistoren aus. Dadurch schaltet der Speicher schneller als aktueller NAND-Speicher. Die Speicherzellen lassen sich indivudell ansprechen, wodurch die Lese- und Schreibprozesse beschleunigt werden. Die ersten Speichermodule verfügen über eine Kapazität von 128 GBit. Dies sind 16 GByte. Doch Intel und Micron kündigten bereits Module mit 48 GB an. Zudem sollen sich weitere Module in Entwicklung befinden, deren Speicherkapazität bis zu 512 GB betragen kann.
Es gibt momentan noch keine weiteren Daten zum 3D-Xpoint-Speicher, auch nicht, wie er auf Platinen angebracht wird. Noch in diesem Jahren wollen sich Intel und Micron daran machen, Muster an Partner zu verschicken. Selbst wollen sowohl Intel als auch Micron den Speicher in eigenen Produkten verwenden, die im kommenden Jahr auf den Markt gebracht werden. In welchen Bereichen der Speicher zum Einsatz kommen soll, ist noch nicht klar, doch es ist die Rede davon, dass man ihn sich unter anderem im Gaming-Bereich vorstellen kann. /ab
Bild-Quellen:
Intel
News Redaktion
am Mittwoch, 29.07.2015 12:58 Uhr
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